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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.
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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

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Precio en MXN + IVA

Lo que tienes que saber de este producto

  • Transistor NPN epitaxial de silicio
  • Frecuencia máxima 30 MHz operación
  • Tensión colector 13.5 Vcc estable
  • Potencia salida 70 Watt alta eficiencia
  • Encapsulado T-40E resistente industrial
  • Ideal amplificación RF potencia

Descripción

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

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2SC2097Descargar PDF

Especificaciones técnicas

Peso0.02 kg
Modelo2SC2097
Clave SAT32111600
Garantía3 años
Dimensiones (alto × ancho × largo)4 × 3 × 2 cm
Descripción SATTransistores
Unidad de medidaPieza

Descripción detallada

Características Principales

  • Transistor NPN epitaxial de silicio
  • Frecuencia máxima de operación 30 MHz
  • Tensión de colector 13.5 Vcc
  • Potencia máxima de salida 70 Watt
  • Encapsulado formato T-40E

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