IPS
Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.
SyscomAudio y Comunicación

Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

$5,552.37

$1,322.3776% OFF

Precio en MXN + IVA

Lo que tienes que saber de este producto

  • Transistor NPN de silicio para alta frecuencia
  • Rango operativo de 30 a 500 MHz
  • Tensión colector-emisor de 28 Vcc
  • Ganancia de 10 dB con eficiencia 55%
  • Potencia salida 125 W a 400 MHz
  • Doble transistor en encapsulado push-pull

Descripción

Transistor de Silicio NPN, 30-500 MHz, 28 Vcc, 10 dB, 125 Watt, 744A-01.

Descargas

MRF392Descargar PDF

Especificaciones técnicas

Peso0.01 kg
ModeloMRF392
Clave SAT32111607
Garantía3 años
Dimensiones (alto × ancho × largo)1 × 2 × 2 cm
Descripción SATTransistores bipolares de radiofrecuencia (rf) o darlington
Unidad de medidaPieza

Descripción detallada

Características Principales

  • Transistor de silicio NPN de alta frecuencia
  • Rango de frecuencias: 30-500 MHz
  • Tensión de colector-emisor hasta 28 Vcc
  • Ganancia de 10 dB para amplificación eficaz
  • Potencia máxima de salida: 125 Watt
Máximos Permisibles
  • VCEO: 30 Vdc
  • VCBO: 60 Vdc
  • VEBO: 4.0 Vdc
  • IC: 16 Adc
  • PD: 270 Watts (a TC = 25°C)
  • Derate: 1.54 W/°C
  • Tstg: -65 a +150 °C
  • TJ: 200 °C
Características Térmicas
  • RθJC: 0.65 °C/W
Características Eléctricas
  • hFE: 40-100 (a IC = 1.0 Adc)
  • Cob: 75-95 pF
Características de Operación
  • Ganancia: 8-10 dB
  • Eficiencia: 50-55%
  • VSWR: 30:1 sin degradación
  • Impedancia: 20 Ω
Configuración
  • Dos transistores en un solo encapsulado
  • Configuración push-pull
  • Emisores comunes
  • Redes de adaptación de impedancia integradas
  • Metabolización de oro para alta confiabilidad
Frecuencias de Operación
  • Frecuencia de prueba: 400 MHz
  • Rango de frecuencia: 30-500 MHz
  • Reducción de potencia: 10 W a 14 W
  • Tensión de prueba: 28 Vdc

Aplicaciones

  • Amplificadores de señal RF
  • Sistemas de comunicación de banda ancha
  • Equipos de prueba y medición RF
  • Sistemas de radiodifusión
  • Amplificadores lineales de alta potencia
Especificaciones de Prueba
  • Prueba de potencia: 125 W a 400 MHz
  • Prueba de eficiencia: 55% típico
  • Prueba de adaptación: VSWR 30:1
  • Prueba de impedancia: 20 Ω
Impedancia Óptima
  • 100 MHz: 0.72 + j0.44 Ω
  • 225 MHz: 0.72 + j2.62 Ω
  • 400 MHz: 3.88 + j5.72 Ω
  • 450 MHz: 3.84 + j2.8 Ω
  • 500 MHz: 1.26 + j3.01 Ω
Dimensiones
  • A: 22.60-23.11 mm
  • B: 9.52-10.03 mm
  • C: 6.65-7.16 mm
  • D: 1.60-1.95 mm
  • E: 2.94-3.40 mm

Productos similares

-38%
Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.
Syscom

Transistor de Silicio NPN de Alta Frecuencia, 470 MHz, 12.5 Vcc, 8.0 dB, 0.75 Watt, 79-04.

$63.23$102.21
Llega en ~4 días
En stock
-53%
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.
Syscom

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio en 470 MHz, 6.2 dB, 25 Watt, 316-01.

$727.25$1,563.05
Llega en ~4 días
En stock
-64%
Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.
Syscom

Transistor de Silicio NPN, 2-30 MHz, 12.5 Vcc, 12.5 Watt, 211-07.

$251.78$702.55
Llega en ~4 días
En stock
-56%
Módulo de Potencia, 450-470 MHz, 12.5 Vcc, 4 Amp., 7 Watt, H5.
Syscom

Módulo de Potencia, 450-470 MHz, 12.5 Vcc, 4 Amp., 7 Watt, H5.

$1,053.14$2,379.59
Llega en ~4 días
En stock
-42%
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
Syscom

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

$1,550.13$2,691.20
Llega en ~4 días
En stock
-38%
Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.
Syscom

Transistor NPN de Potencia RF, Silicio de 30 MHz, 13.6 Vcc, 4.0 Amp. 10 Watt, TO-220AB.

$524.87$845.77
Llega en ~4 días
Sólo quedan 3 en stock
-45%
Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.
Syscom

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 30 MHz, 13.5 Vcc, 70 Watt, T-40E.

$748.32$1,359.77
Llega en ~4 días
Sólo quedan 2 en stock
-36%
Transistor de Silicio NPN, 60 Vce, 25 Amp. , 200 Watt , Montaje TO-3
RF PARTS

Transistor de Silicio NPN, 60 Vce, 25 Amp. , 200 Watt , Montaje TO-3

$226.63$354.22
Bajo pedido (~1 semana)

También te puede interesar

-45%
Monitor 7" TFT-LCD ideal para colocar en vehículos o DVR/NVR. Entradas de video HDMI, VGA y RCA (CVBS)
Syscom

Monitor 7" TFT-LCD ideal para colocar en vehículos o DVR/NVR. Entradas de video HDMI, VGA y RCA (CVBS)

$1,633.53$2,979.70
Llega en ~4 días
En stock
-49%
Riel 5 para montaje de módulos fotovoltaicos de aluminio anodizado de 2700mm.
Syscom

Riel 5 para montaje de módulos fotovoltaicos de aluminio anodizado de 2700mm.

$503.34$983.11
Llega en ~4 días
En stock
-71%
Cable con Conector Jack Hembra 3.5 mm con 2 Salidas de Jack Macho
Syscom

Cable con Conector Jack Hembra 3.5 mm con 2 Salidas de Jack Macho

$13.60$47.14
Llega en ~4 días
En stock
-38%
Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.
Syscom

Transistor MOSFET MFE-130 Doble Puerta, Canal N, 105 MHz, TO-18.

$49.86$80.68
Llega en ~4 días
En stock
-75%
Conector Plug tipo MOLEX de 8 Contactos en Doble Fila a 3.0 mm para Pin Hembra.
Syscom

Conector Plug tipo MOLEX de 8 Contactos en Doble Fila a 3.0 mm para Pin Hembra.

$5.44$21.53
Llega en ~4 días
En stock
-68%
Capacitor Electrolítico de Aluminio, Radial de 100 µFd, 25 Vcc, 105 °C, 6.3 x 11 mm.
Syscom

Capacitor Electrolítico de Aluminio, Radial de 100 µFd, 25 Vcc, 105 °C, 6.3 x 11 mm.

$8.61$26.97
Llega en ~4 días
En stock
-83%
Resistencia de Potencia, 15 Ohm, 10 Watt, 5 %.
Syscom

Resistencia de Potencia, 15 Ohm, 10 Watt, 5 %.

$12.69$76.83
Llega en ~4 días
En stock
-38%
Capacitor Electrolítico de Aluminio, Radial de 100 µFd, 16 Vcc, 105 °C, 5.0 x 11 mm.
Syscom

Capacitor Electrolítico de Aluminio, Radial de 100 µFd, 16 Vcc, 105 °C, 5.0 x 11 mm.

$25.16$40.79
Llega en ~4 días
En stock