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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E
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Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

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Precio en MXN + IVA

Lo que tienes que saber de este producto

  • Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente
  • Frecuencia de operación hasta 27 MHz
  • Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
  • Potencia de salida de 13 watts
  • Reemplazo directo para modelo 2SC1945
  • Encapsulado T-30E para disipación térmica optimizada

Descripción

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

Descargas

2SC3133Descargar PDF

Especificaciones técnicas

Peso0.01 kg
Modelo2SC3133
Clave SAT32111600
Garantía3 años
Dimensiones (alto × ancho × largo)2 × 1 × - cm
Descripción SATTransistores
Unidad de medidaPieza

Descripción detallada

Transistor de Silicio NPN Epitexial, 27 MHz, 12 Vcc, 13 Watt, T-30E

Transistor NPN epitaxial de silicio altamente eficiente para aplicaciones de amplificación de señal en radiofrecuencia.

Características principales

  • Frecuencia de operación hasta 27 MHz
  • Soporta voltaje máximo de 12 Vcc
  • Potencia de salida disponible de 13 watts

Compatibilidad

  • Reemplazo directo para el modelo 2SC1945

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