Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 12.5 Vcc
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Precio en MXN + IVA
Lo que tienes que saber de este producto
- Transistor FET de canal N de 8 W
- Frecuencia máxima de operación de 520 MHz
- Alta ganancia de potencia de 11 dB
- Eficiencia del 55% a 12.5 Vcc
- Estabilidad térmica superior para operación continua
- Diseño SMD en envase plástico RF
Descripción
Transistor de Pot, RF, Fet, Canal N, 8 W, 12.5 Vcc
Descargas
Especificaciones técnicas
| Peso | 0.01 kg |
|---|---|
| Modelo | MRF-1518-T1 |
| Clave SAT | 32111600 |
| Garantía | 3 años |
| Dimensiones (alto × ancho × largo) | 1 × - × 1 cm |
| Descripción SAT | Transistores |
| Unidad de medida | Pieza |
Descripción detallada
El Transistor MRF1518T1 está diseñado para aplicaciones comerciales e industriales de banda ancha en frecuencias de hasta 520 MHz. La alta ganancia y el rendimiento de banda ancha de este dispositivo lo hacen ideal para aplicaciones de amplificador de fuente común de gran señal en equipos FM Moviles de 12.5 voltios
Rendimiento especificado @ 520 MHz,12.5 Volts.
- Potencia de salida 8 Watts.
- Ganancia de potencia 11dB.
- Eficiencia- 55%.
- Caracterizado con parámetros de impedancia de señal grande equivalente en serie.
- Excelente estabilidad térmica.
- Capaz de manejar 20:1 VSWR, @ 15.5Vcc 520 MHz, 2 dB de sobremodulación.
- Envase de plástico de montaje superficial de potencia RF.
